SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長(zhǎng)類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性質(zhì)等等。

       合能陽(yáng)光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長(zhǎng)晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。

       完全可以根據(jù)客戶需求提供不同品質(zhì)的晶種。Micropipe密度，標(biāo)準(zhǔn)控制在30/cm²以內(nèi)，高品質(zhì)可以控制在5/cm²以內(nèi)。

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)SiC襯底企業(yè)。