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【太陽能電池的技術(shù)革命(2)】以新一代電子技術(shù)將太陽能電池從半導(dǎo)體中解放

   2011-12-23 29810
核心提示:從零開始匯總技術(shù) 雖然大舉提高轉(zhuǎn)換效率并非易事,但是太陽能電池的技術(shù)開發(fā)競爭已經(jīng)刻不容緩,因此,無論如何首先要進(jìn)行技術(shù)開發(fā)。作
從零開始匯總技術(shù)

        雖然大舉提高轉(zhuǎn)換效率并非易事,但是太陽能電池的技術(shù)開發(fā)競爭已經(jīng)刻不容緩,因此,無論如何首先要進(jìn)行技術(shù)開發(fā)。作為打開局面的措施,很多研發(fā)活動(dòng)都是回到原點(diǎn)從頭開始探討太陽能電池的所有可能性。利用能夠想到的各種材料進(jìn)行嘗試,其情景堪稱百花齊放。其中一些利用舊材料取得的成果連研究人員自身都感到吃驚(參照“舊材料中驚人發(fā)現(xiàn)不斷”)。

        另外,利用與傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)完全不同的方式實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,或著眼于大幅提高轉(zhuǎn)換效率的“第4代”技術(shù)也陸續(xù)出現(xiàn)(圖1,圖4)。開篇提到的挑戰(zhàn)帶隙束縛的措施可稱是其中代表事例。從原理上來說,可實(shí)現(xiàn)超過第3代技術(shù)的80%以上的轉(zhuǎn)換效率,和幾日元/W的超低成本。雖然目前很多新技術(shù)還處于研究開發(fā)階段,但也許會(huì)超越第3代,一躍成為太陽能電池技術(shù)的主角。

成為新一代電子學(xué)的基礎(chǔ)

        第4代技術(shù)大致分成3類(圖4)。具體包括:①使用“強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系”材料的技術(shù);②使用“等離子體”的技術(shù);③使用波長轉(zhuǎn)換材料的技術(shù)。這些技術(shù)都不局限于太陽能電池,還可以延伸到蓄電池、光LSI等新一代電子學(xué)和光學(xué)產(chǎn)品,是應(yīng)用范圍廣泛的技術(shù)。

圖4:利用不使用半導(dǎo)體的技術(shù)實(shí)現(xiàn)“高效率、低成本”
第4代太陽能電池技術(shù)的三個(gè)方法已顯示出各自的效果。強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料是用于開發(fā)全新的太陽能電池的材料。與之相比,采用等離子體和波長轉(zhuǎn)換技術(shù)有望使太陽能電池在原有技術(shù)的條件下提高轉(zhuǎn)換效率。

        ①強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料類似于冰受熱融化成水,是通過光、電場、壓力等微小的能量交換,使材料的狀態(tài)從絕緣體高速轉(zhuǎn)換成金屬或?qū)щ婓w的一類材料(圖5)。以材料舉例的話,這種材料大多是PCMO*等錳類氧化物、TaOx等含有過渡金屬的氧化物。但也包括TCNQ*等有機(jī)材料。

圖5:利用氧化物相變使光能轉(zhuǎn)化成電能
MEG在電子間相關(guān)大的條件下才會(huì)產(chǎn)生(a)。電子間相關(guān)強(qiáng)烈的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系氧化物會(huì)發(fā)生類似于MEG的MCG現(xiàn)象(b)。在該現(xiàn)象中,1個(gè)光子能夠激發(fā)出hv/0.3eV個(gè)的電子和空穴的等離子(hv為1個(gè)光子的能量)。如果能使電子與空穴分離,從電極中取出,那么就能實(shí)現(xiàn)把陽光的絕大多數(shù)能量轉(zhuǎn)變成電能的太陽能電池(c)。圖為《日經(jīng)電子》根據(jù)理化學(xué)研究所十倉研究團(tuán)隊(duì)的資料制作。


*PCMO=由稀土類元素鐠(Pr)、鈣(Ca)、錳(Mn)和氧(O)組成的氧化物。結(jié)構(gòu)為Pr0.5Ca0.5MnO3時(shí)是穩(wěn)定的絕緣體,但略微改變結(jié)構(gòu),并略微增加了一點(diǎn)鍶(Sr)的Pr0.55(Ca0.8Sr0.20.45MnO3很容易產(chǎn)生相變。理化學(xué)研究所十倉團(tuán)隊(duì)的ReRAM方案使用了PCMO。

*TCNQ(四氰基對(duì)苯二醌二甲烷)=n型有機(jī)半導(dǎo)體材料之一?;瘜W(xué)式為(NC)2CC6H4C(CN)2

        其實(shí),高溫超導(dǎo)和即將投入實(shí)用的可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)使用的材料也是強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料的一種??烧f是應(yīng)用于各種領(lǐng)域的可能性高,很大程度影響今后電子學(xué)發(fā)展方向的材料。在日本,理化學(xué)研究所的十倉好紀(jì)團(tuán)隊(duì)正以在各種領(lǐng)域應(yīng)用為目標(biāo),進(jìn)行著強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料的研究(參照“電子技術(shù)因強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系而改”)。前面提到的川崎也是十倉團(tuán)隊(duì)的一員。 

        ②等離子體是利用金屬表面上光與電子的共振狀態(tài)的技術(shù)。利用這項(xiàng)技術(shù)的目的在于大幅提高光的利用效率。這項(xiàng)技術(shù)也不局限于太陽能電池,包括超高效率LED、有機(jī)EL、光LSI和分子間光通信在內(nèi),在電與光的交界領(lǐng)域正在開展各種應(yīng)用研究(參照“進(jìn)入利用光實(shí)現(xiàn)電技術(shù)的時(shí)代”)。

        而③是使用把紫外線和紅外線轉(zhuǎn)換成可見光的波長轉(zhuǎn)換材料的方法。可說是現(xiàn)有螢光材料的進(jìn)化形態(tài),很有可能對(duì)顯示器、照明、醫(yī)療等廣泛領(lǐng)域產(chǎn)生很大的波及效應(yīng)。

光使“電子晶體”融解

        下面詳細(xì)介紹一下這三項(xiàng)新一代技術(shù)和開發(fā)示例。首先,強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料沒有取決于半導(dǎo)體帶隙的轉(zhuǎn)換效率極限,能夠把陽光的大部分能量轉(zhuǎn)化成電能。

        具體來說,當(dāng)光子照射到強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料時(shí),會(huì)發(fā)生“光誘導(dǎo)相變”現(xiàn)象,在之前是絕緣體的材料上,會(huì)有微小的區(qū)域轉(zhuǎn)變成金屬性質(zhì)(圖5)。與冰等固體融化成液體的差異在于發(fā)生變化的不是原子排列,而是電子束團(tuán)的動(dòng)態(tài)和能量狀態(tài)。也就是產(chǎn)生了“電子晶體在光的作用下融解為電子液體”(理研川崎)的現(xiàn)象。

        電子晶體融解區(qū)域與絕緣體區(qū)域的能差大約為0.3eV,具體數(shù)字因材料而異。融解區(qū)域處于電子和空穴的等離子狀態(tài),而且會(huì)隨著光子能量的增加而擴(kuò)大。假設(shè)光子的能量為1.5eV,那么最多可以生成5組電子和空穴的等離子,如果是3eV的光子,則最多可以生成相當(dāng)于10組電子和空穴的等離子。強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子體系材料的研究人員稱之為“多載流子激發(fā)(MCG)”。

        MCG的原理與使用半導(dǎo)體的MEG型太陽能電池的發(fā)電原理相似(圖3(d))。川崎稱,實(shí)際上,“MEG與MCG都是發(fā)生在電子間關(guān)聯(lián)強(qiáng)烈的狀態(tài)下”。

        二者當(dāng)然也有差異。除了帶隙、相變等物理機(jī)制不同外,MEG會(huì)形成電子與空穴結(jié)合強(qiáng)的激子,MCG形成的則是結(jié)合弱的等離子。因此,在原理上來說,MCG似乎更容易實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率高的光電轉(zhuǎn)換。

        如果能夠?qū)崿F(xiàn)以MCG為基礎(chǔ)的太陽能電池,那么也有希望實(shí)現(xiàn)利用熱輻射發(fā)電的太陽能電池,甚至超越第3代的超高效率太陽能電池。因?yàn)樯傻入x子的閾值0.3eV的光線波長約為4.1μm,已達(dá)到基本無法使用半導(dǎo)體的中紅外區(qū)域(注3)。也就是說,比半導(dǎo)體可利用更廣泛波長的陽光(圖5(c))。

(注3) 2010年6月,IMEC開發(fā)出了利用輻射熱發(fā)電的光電轉(zhuǎn)換元件。使用的半導(dǎo)體帶隙約為0.67eV,能夠利用波長約為1.8μm以下的近紅外區(qū)域的光發(fā)電。(《日經(jīng)電子》記者:河合基伸、野澤哲生;硅谷支局:Phil Keys)
 
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