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英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國家標準將填補國內空白

   2017-12-06 長城網(wǎng)31620
核心提示:12月4日,記者從英利集團了解到,該公司牽頭主編的《太陽能級多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標準順利進入報批階段,
 12月4日,記者從英利集團了解到,該公司牽頭主編的《太陽能級多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標準順利進入報批階段,預計2018年發(fā)布,將填補國內多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測試方法的空白。
 
據(jù)了解,國家標準《太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》是采用酸性混合液對硅片表面進行化學拋光,再使用腐蝕液對硅片進行化學腐蝕,硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來,通過對不同位置的硅錠取樣片,測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度,其最終結果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。
 
近年來,英利集團大力實施標準化戰(zhàn)略,高度重視標準化工作,已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標準、國家標準、行業(yè)標準等各類標準共計77項,主持制定和參與制定標準總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。
 
標簽: 英利 標準
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